...2V,V2=-7V,V3=-1.6V,如何判断

编辑: admin           2017-26-03         

    相差0.8的是AC.剩下是B

    类似问题

    类似问题1: 某晶体三极管三个电极的电位分别是:V1=2V,V2=8V,V3=3V,如何判断该三极管管脚打错了V3=8.3V如果是PNP是硅的还是褚的?[物理科目]

    V1 = 2V,V2 = 8V,V3 = 8.3V

    无论是NPN还是PNP都有UB电位在三个极之间居中,故2为B.

    由于V3 - V2 = 8.3-8.0=0.3符合PN结电压(锗管),故3为E.

    剩下1为C.又由于E电位最高,故此管为PNP.

    类似问题2: 三极管;A管;V1=10V,V2=3V,V3=3.7V判断管子类型

    怎么是V1、V2、V3而不是Ve、Vb、Vc啊?

    假设你说的V1是发射极电压Ve,V2是基极电压Vb、V3是集电极电压Vc吧.

    如此的话,电流应该是从发射极分流到集电极和基极,是PNP管

    类似问题3: 用直流电压表测的放大电路中某三极管各极电位分别是2V,6V,2.7V,则三个电极分别是(),该管是()型[物理科目]

    这个三极管是NPN型,其中基极(b)电压为2V,集电极(c)电压是6V,发射极(e)电压是2V.理由是:NPN型三极管的正常工作状态下,必须保证Uc>Ub>Ue,且Ub-Ue=0.7V.如果是PNP型管,必须保证Ue>Ub>Uc,且Ue-Ub=0.7V,显然上述条件是不符合的.

    类似问题4: PNP型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中___极电位最高.——极电位最低.

    PNP型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中E极电位最高.C极电位最低.

    类似问题5: 【晶体三极管9013和9014参数发射极电流:基极电流:基极电压:集电极电压:放大倍数:】百度作业帮

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    C9013 NPN三极管

    △主要用途:

    作为音频放大和收音机1W推挽输出

    (C9012互补)

    参数符号测试条件最小值典型值最大值单 位

    集电极漏电流ICBO VCB=30V,IE=0 100 nA

    发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA

    集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 25 V

    发射极、基极击穿电压BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V

    集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 30 V

    集电极、发射极饱和压降VCE(sat

    )

    IC=500mA,IB=50mA 0.6 V

    基极、发射极饱和压降VBE(sat

    )

    IC=500mA,IB=50mA 1.2 V

    基极、发射极压降VBE VCE=1V,IC=10mA 1.0 V

    直流电流增益HFE1 VCE=1V,IC=50mA 96 300

    HFE2 VCE=1V,IC=500mA 40

    1.2

    参数符号标称值单位

    集电极、基极击穿电压VCBO 30 V

    集电极、发射极击穿电压VCEO 25 V

    发射极、基极击穿电压VEBO 5 V

    集电极电流IC 500 mA

    集电极功率PC 625 mW

    结温TJ 150 ℃

    贮存温TSTG -55-150 ℃

    6发射

    △电参数(Ta=25℃)

    (按HEF1分类)标准分档:F:96-135 G:112-166 H:144-202 I:200-300

    TO-92

    1.发射极 E

    2.基 极 B

    3.集电极 C

    F G H1 H2 I1 I2

    96-120 120-150 150-170 170-200 200-250 250-300

    C9014 NPN三极管

    △主要用途:

    作为低频、低噪声前置放大,应用于电话机、VCD、

    DVD、电动玩具等电子产品(与C9015互补)

    参数符号测试条件最小值典型值最大值单 位

    集电极漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA

    发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA

    集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V

    发射极、基极击穿电压BVEBO IE=10μA,IC=0 5 V

    集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 60 V

    集电极、发射极饱和压降VCE(sat

    )

    IC=100mA,IB=10mA 0.25 V

    基极、发射极饱和压降VBE(sat

    )

    IC=100mA,IB=10mA 1.0 V

    直流电流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700

    HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25

    参数符号标称值单位

    集电极、基极击穿电压VCBO 60 V

    集电极、发射极击穿电压VCEO 50 V

    发射极、基极击穿电压VEBO 5 V

    集电极电流IC 150 mA

    集电极功率PC 625 mW

    结温TJ 150 ℃

    贮存温TSTG -55-150 ℃

    6发射

    △电参数(Ta=25℃)

    (按HEF1分类)标准分档:B:100-300 C:200-600 D:400-1000

    TO-92

    1.发射极 E

    2.基 极 B

    3.集电极 C

    B C1 C2 D1 D2 D3

    120-200 200-300 300-400 400-500 500-600 600-700

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